瞄準2020年5G即將上線，由長庚大學教授邱顯欽帶領的高速智能中心研究團隊，致力於「通信、指揮和控制」，以促進更高速的晶片設計和開發的智能電路技術為目標。邱顯欽教授與王祥駿博士帶領團隊，於2016年開始，開發「第五代行動通訊功率放大器晶片」系列產品，從材料、元件、設計到高功率晶片等全技術鍊規畫開發，預計兩年內完全自主化，取代美、日進口的高功率微波晶片。

邱顯欽表示，寬能隙材料氮化鎵（GaN），受惠於台灣在LED產業的迅速發展，連帶在技術與價格上受到通訊工業界矚目。由於GaN材料具有高崩潰電壓、高電子飽和速率、抗高溫抗輻射等優點，非常適合應用於微波高功率元件與系統上。

GaN優秀的材料特性，也使GaN功率放大器在微波與毫米波頻段上，比傳統LDMOS與GaAs等元件的輸出功率與效益上表現更為優異；且元件面積也可以微縮並有效解決基地台系統散熱與過重問題。加上該技術利用矽基板上氮化鎵電晶體製程技術，將同時具有在台灣六吋代工廠量產與晶片整合度之雙重優勢。

目前該團隊針對5G應用頻段sub-6GHz規格在3.3～3.6GHz及4.8～5GHz頻段，開發一系列功率放大器並進入小量樣品生產，而該技術已發展至封裝與測試的成熟階段。下一個發展階段，將與系統廠商進行小型基站系統設計方面的實現，規畫2019年完成毫米波頻段28GHz頻段氮化鎵功率放大器應用。

邱顯欽指出，使用氮化鎵實現無線充電模組，可達到一對多的充電目的，並可將傳輸距離延伸至0.5公尺，以及達到模組小型輕盈化的尺寸，未來配合AI晶片可達成高效率一對多非接觸式無線充電系統。

日期：107-09-10            資料來源：中時電子報